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| 型号︰ | - |
| 品牌︰ | - |
| 原产地︰ | 中国 |
| 单价︰ | CNY ¥ 100 / 件 |
| 最少订量︰ | 10 件 |
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产品介绍：
◇用途：适用于电力半导体器件及电真空器件。用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。
◇特点：钼圆片表面光亮，粗糙度可达Ra1.60，热导电性能好，热膨胀系数小，且耐高温，抗压强度优于现行同类产品
◇规格：（Φ5.0-150.0）×（0.2-6.0）mm符合国标GB／T14592-93
◇参数：比重：10.2g／cm³电阻率：不大于6.26×10-6Ω.cm
◇热膨胀系数：4.0×10-6μm／（m.k）-6.4×10-6μm／（m.k）（在373.15k-973.15k）
◇如果您有特殊要求，可协商解决。
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