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| 型號︰ | - |
| 品牌︰ | - |
| 原產地︰ | 中國 |
| 單價︰ | CNY ¥ 100 / 件 |
| 最少訂量︰ | 10 件 |
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產品介紹：
◇用途：適用於電力半導體器件及電真空器件。用作可控硅元件中單晶硅片的支撐基板。
◇特點：鉬圓片表面光亮，粗糙度可達Ra1.60，熱導電性能好，熱膨脹係數小，且耐高溫，抗壓強度優于現行同類產品
◇規格：（Φ5.0-150.0）×（0.2-6.0）mm符合國標GB／T14592-93
◇參數：比重：10.2g／cm³電阻率：不大於6.26×10-6Ω.cm
◇熱膨脹係數：4.0×10-6μm／（m.k）-6.4×10-6μm／（m.k）（在373.15k-973.15k）
◇如果您有特殊要求，可協商解決。
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